IRFP448 Mosfet Kênh N 11A-500V TO-247 (Tháo Máy)

8.500 ₫

Mã sản phẩm : IRFP448

Loại linh kiện: Mosfet

Điện áp: 500V

Dòng điện: 11A

Kiểu chân: TO-247

Hình thức : Tháo Máy

Tình trạng : Còn hàng

Đã cập nhật

Hỗ trợ trực tuyến
Kinh doanh 1: 0333595662
Kinh doanh 2: 0372770860
Kĩ thuật viên sửa chữa: 0979578581 (Kiên)
(Giờ làm việc: Buổi sáng: 7:30-12:00, Buổi chiều: 13:30-18:00 từ Thứ 2 đến thứ 7 )
Chú ý: Chỉ gửi đơn trên Website tối thiểu từ 50.000 vnđ. Đơn hàng chưa bao gồm phí vận chuyển (đội ngũ nhân viên lên đơn sẽ liên hệ với khách hàng báo chi phí vận chuyển khi đơn hàng được đặt thành công).

Mô tả

Giới thiệu về IRFP448

IRFP448 là một thành phần công suất mạnh mẽ được thiết kế để hoạt động trong các ứng dụng yêu cầu khả năng chịu đựng điện áp cao và dòng điện lớn. IRFP448 là một lựa chọn mạnh mẽ cho các ứng dụng công suất cao yêu cầu điện áp lớn và điều khiển dòng điện vừa phải, cung cấp hiệu suất tốt và độ tin cậy cao trong các ứng dụng công suất cao.

Đặc trưng kỹ thuật

Điện áp chịu đựng cực nguồn (Vds)
- Giá trị tối đa: 500V
- Ý nghĩa: Đây là điện áp tối đa mà MOSFET có thể chịu đựng giữa cực nguồn (Drain) và cực nguồn (Source) mà không bị hỏng. Khả năng chịu đựng điện áp cao cho phép MOSFET hoạt động ổn định trong các ứng dụng yêu cầu điện áp rất lớn.
Dòng điện cực nguồn (Id)
- Giá trị tối đa: 11A
- Ý nghĩa: Đây là dòng điện tối đa có thể chảy qua MOSFET khi nó đang dẫn. Dòng điện này cho phép MOSFET điều khiển các tải có dòng điện vừa phải mà không bị quá tải.
Điện trở kênh dẫn (Rds(on))
- Giá trị: Khoảng 0.32Ω ở Vgs = 10V.
- Ý nghĩa: Điện trở này cho biết mức độ tổn thất công suất trong MOSFET khi nó đang dẫn. Giá trị này thấp giúp giảm tổn thất công suất và cải thiện hiệu suất.
Điện áp ngưỡng cổng (Vgs(th))
- Giá trị: Khoảng 4V đến 6V.
- Ý nghĩa: Đây là điện áp cổng cần thiết để MOSFET bắt đầu dẫn. MOSFET sẽ dẫn khi điện áp cổng vượt qua giá trị này.
Điện dung cổng (Ciss, Coss, Crss)
- Ciss (Điện dung giữa cực cổng và cực nguồn): Thường khoảng 2500pF.
- Coss (Điện dung giữa cực nguồn và cực source): Thường khoảng 1200pF.
- Crss (Điện dung giữa cực cổng và cực source): Thường khoảng 600pF.
- Ý nghĩa: Các giá trị này ảnh hưởng đến tốc độ chuyển mạch và hiệu suất trong các ứng dụng chuyển mạch tần số cao.
Điện áp cách điện (Vgs(max))
- Giá trị tối đa: ±20V
- Ý nghĩa: Đây là điện áp tối đa có thể áp dụng vào cổng mà không gây hại cho MOSFET.
Nhiệt độ hoạt động
- Dải nhiệt độ hoạt động: Thường từ -55°C đến 150°C.
- Ý nghĩa: Nhiệt độ hoạt động cao cho phép MOSFET hoạt động ổn định trong môi trường khắc nghiệt.

Thông số kỹ thuật

Sơ đồ cấu tạo

Ứng dụng

IRFP448 thường được sử dụng trong các ứng dụng công suất cao, bao gồm:

Nguồn cung cấp điện: Đặc biệt là trong các bộ nguồn chuyển mạch và các ứng dụng yêu cầu điều khiển công suất lớn.
Mạch chuyển mạch công suất: Trong các bộ điều khiển công suất và các thiết bị công nghiệp yêu cầu điều khiển dòng điện lớn.
Thiết bị điện tử công suất: Được sử dụng trong các thiết bị yêu cầu điều khiển tải lớn và hoạt động ổn định ở điện áp cao.