JE253G, MJE253G Transistor PNP 4A/100V TO-126

Giới thiệu

• Các thiết bị này được thiết kế cho bộ khuếch đại âm thanh công suất thấp và các ứng dụng chuyển mạch tốc độ cao, dòng điện thấp.

Mô tả

• Chỉ định loại: MJE253G
• Mã bóng bán dẫn SMD: JE253
• Chất liệu Transistor: Si
• Phân cực: PNP
• Tản điện tối đa của bộ thu (Pc): 15 W
• Điện áp cơ sở Collector tối đa |Vcb|: 100 V
• Điện áp cực thu-phát tối đa |Vce|: 100 V
• Điện áp cơ sở bộ phát tối đa |Veb|: 7 V
• Dòng thu tối đa |Ic max|: 4 A
• Tối đa. Nhiệt độ điểm nối hoạt động (Tj): 150 ° C
• Tần số chuyển tiếp (ft): 40 MHz
• Điện dung thu (Cc): 50 pF
• Tỷ lệ chuyển tiếp hiện tại (hFE), MIN: 40
• Hệ số tiếng ồn, dB: –
• Đóng gói: TO126

Đặc trưng

• Điện áp duy trì Collector-Emitter cao
• Mức tăng dòng điện DC cao
• Điện áp bão hòa Collector-Emitter thấp
• Sản phẩm có mức tăng băng thông hiện tại cao
• Cấu trúc hình khuyên cho mức rò rỉ thấp

Sơ đồ chân

Thông số kỹ thuật của Transistor MJE253G

Kích thước của Transistor MJE253G

Xem thêm: Các sản phẩm Transistor khác

Datasheet MJE253G