RJP63K2 IGBT 35A-630V TO-220

13.000 ₫

Mã sản phẩm: RJP63K2

Loại linh kiện: IGBT

Kiểu chân: TO-220

Điện áp: 630V

Dòng điện: 35A

Hình thức: Mới

Tình trạng: Còn hàng

Đã cập nhật

Hỗ trợ trực tuyến
Kinh doanh 1: 0333595662
Kinh doanh 2: 0372770860
Kĩ thuật viên sửa chữa: 0979578581 (Kiên)
(Giờ làm việc: Buổi sáng: 7:30-12:00, Buổi chiều: 13:30-18:00 từ Thứ 2 đến thứ 7 )
Chú ý: Chỉ gửi đơn trên Website tối thiểu từ 50.000 vnđ. Đơn hàng chưa bao gồm phí vận chuyển (đội ngũ nhân viên lên đơn sẽ liên hệ với khách hàng báo chi phí vận chuyển khi đơn hàng được đặt thành công).

Mô tả

Giới thiệu về RJP63K2

RJP63K2 IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) là một thiết bị bán dẫn kết hợp giữa hai loại transistor, đó là transistor lưỡng cực và MOSFET, mang lại sự kết hợp giữa hiệu suất điều khiển cổng của MOSFET và khả năng chịu tải của transistor lưỡng cực. IGBT RJP63K2 được thiết kế với cấu trúc cổng cách ly, cho phép điều khiển dòng điện thông qua một tín hiệu điện áp nhỏ tại cổng. Khi một điện áp dương được áp dụng vào cổng, IGBT sẽ bật và cho phép dòng điện chạy từ cực thu (collector) đến cực phát (emitter). Khi không có điện áp cổng hoặc điện áp cổng âm, IGBT sẽ tắt, ngăn chặn dòng điện chạy qua. Đây là một lựa chọn tối ưu cho các ứng dụng yêu cầu chuyển mạch công suất cao với điện áp và dòng điện lớn, đồng thời mang lại hiệu suất điều khiển tốt và khả năng chịu tải mạnh mẽ.

Đặc điểm nổi bật RJP63K2

Khả năng chịu áp cao: Với điện áp tối đa 630V, IGBT RJP63K2 có thể hoạt động tốt trong các ứng dụng yêu cầu chịu điện áp cao.
Dòng điện lớn: Dòng điện cực thu tối đa 35A phù hợp với các ứng dụng đòi hỏi dòng lớn, như trong các hệ thống điều khiển động cơ và các bộ nguồn công suất cao.
Thời gian chuyển mạch nhanh: Cho phép IGBT hoạt động hiệu quả trong các ứng dụng yêu cầu tần số chuyển mạch cao.
Khả năng chịu tải tốt: Kết hợp ưu điểm của MOSFET và transistor lưỡng cực, IGBT RJP63K2 có khả năng điều khiển tốt và chịu tải cao.

Thông số kỹ thuật RJP63K2

Điện áp cực thu-cực phát tối đa (Vces max): 630V
Dòng điện cực thu tối đa (Ic max): 35A
Điện áp gãy cổng-phát (Vge(th)): Thông thường khoảng 5V đến 7V
Điện trở nhiệt (Rthjc): Thấp, giúp giảm thiểu nhiệt độ phát sinh trong quá trình hoạt động
Điện dung đầu vào (Cies): Khoảng 2000 pF, cho phép điều khiển nhanh và hiệu quả
Thời gian bật/tắt (Switching Time):
- Thời gian bật (Turn-on time, ton): Thường dưới 100ns
- Thời gian tắt (Turn-off time, toff): Thường dưới 200ns

Ứng dụng RJP63K2

Nguồn cung cấp chuyển mạch (SMPS): Sử dụng trong các bộ nguồn xung với yêu cầu chuyển mạch nhanh và hiệu suất cao.
Bộ biến tần: Trong các hệ thống năng lượng tái tạo như biến tần năng lượng mặt trời, nơi cần khả năng chuyển đổi năng lượng hiệu quả.
Mạch điều khiển động cơ: Được sử dụng trong các bộ điều khiển động cơ DC và AC, nơi yêu cầu khả năng xử lý dòng điện cao và điện áp lớn.
Thiết bị công nghiệp: Trong các mạch công suất lớn, như điều khiển robot, hệ thống điện công nghiệp và các thiết bị tự động hóa.