6R190C6 IPW60R190C6 N-Mosfet 20.2A 650V TO-247 Tháo máy

Giới thiệu về 6R190C6 

6R190C6 (IPW60R190C6) là một MOSFET kênh N hiệu suất cao, được thiết kế để hoạt động trong các ứng dụng công suất lớn với khả năng chịu điện áp cao lên đến 650V và dòng điện định mức 20.2A. Với cấu trúc tiên tiến, nó cung cấp tổn thất thấp, tốc độ chuyển mạch nhanh, và hiệu quả cao trong các ứng dụng chuyển mạch.

Đặc điểm nổi bật 6R190C6

1. Điện áp chịu đựng cao: MOSFET này có thể chịu được điện áp lên tới 650V, phù hợp với các ứng dụng yêu cầu cách ly điện áp cao.
2. Dòng điện định mức lớn: Có khả năng dẫn dòng tối đa 20.2A, hỗ trợ các tải công suất lớn.
3. R_DS(on) thấp: Điện trở dẫn thấp giúp giảm tổn thất dẫn điện và tăng hiệu quả năng lượng.
4. Tốc độ chuyển mạch nhanh: Đáp ứng nhanh với tín hiệu điều khiển, giảm thiểu tổn thất chuyển mạch.
5. Vỏ TO-247: Thiết kế mạnh mẽ, dễ dàng tản nhiệt và lắp đặt trong các mạch công suất.

Thông số kỹ thuật chính 6R190C6

• Điện áp cực đại (V_DS): 650V
• Dòng điện định mức (I_D): 20.2A (ở nhiệt độ 25°C)
• R_DS(on): 0.19Ω (tối đa)
• Công suất tiêu tán (P_D): 208W
• Điện áp cổng tối đa (V_GS): ±20V
• Nhiệt độ hoạt động: -55°C đến +150°C
• Đóng gói: TO-247

Sơ đồ cấu tạo chân 6R190C6

Kích thước 6R190C6

Ứng dụng 6R190C6

1. Nguồn cung cấp xung (SMPS):
   • Sử dụng trong các bộ nguồn chuyển mạch với hiệu suất cao.
2. Bộ biến tần và điều khiển động cơ:
   • Hỗ trợ điều khiển động cơ AC/DC, đảm bảo hiệu suất tối ưu.
3. Ứng dụng công nghiệp:
   • Hệ thống tự động hóa, thiết bị công suất lớn và tải cảm ứng.
4. Hệ thống năng lượng tái tạo:
   • Biến tần năng lượng mặt trời hoặc hệ thống lưu trữ năng lượng.
5. Chiếu sáng LED và ứng dụng gia dụng:
   • Giảm tổn thất năng lượng và cải thiện hiệu quả tổng thể.

Xem thêm: Nhiều sản phẩm Mosfet khác tại đây

Datasheet 6R190C6