DP50F1200102502 Module IGBT 50A 1200V Tháo máy

DP50F1200102502 Module IGBT 50A 1200V Tháo máy - Ảnh 2

DP50F1200102502 Module IGBT 50A 1200V Tháo máy

580.000 ₫

Mã sản phẩm: DP50F1200102502

Loại linh kiện: IGBT

Điện áp: 1200V

Dòng điện: 50A

Hình thức: Tháo máy

Tình trạng: Còn hàng

Hỗ trợ trực tuyến
Kinh doanh 1: 0333595662
Kinh doanh 2: 0372770860
Kĩ thuật viên sửa chữa: 0979578581 (Kiên)
(Giờ làm việc: Buổi sáng: 7:30-12:00, Buổi chiều: 13:30-18:00 từ Thứ 2 đến thứ 7 )
Chú ý: Chỉ gửi đơn trên Website tối thiểu từ 50.000 vnđ. Đơn hàng chưa bao gồm phí vận chuyển (đội ngũ nhân viên lên đơn sẽ liên hệ với khách hàng báo chi phí vận chuyển khi đơn hàng được đặt thành công).

Mô tả

Giới thiệu về DP50F1200102502

DP50F1200102502 là một module IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) do Danfoss sản xuất, được thiết kế cho các ứng dụng điện tử công suất cao. Module này kết hợp các đặc tính của transistor lưỡng cực và transistor hiệu ứng trường, giúp đạt hiệu suất chuyển mạch cao và giảm tổn hao năng lượng.

Thông số kỹ thuật chính

Điện áp Collector-Emitter tối đa (V<sub>CES</sub>): 1200V
Dòng Collector tối đa (I<sub>C</sub>): 50A
Cấu hình: Module

Đặc điểm nổi bật

Hiệu suất cao: Thiết kế để giảm thiểu tổn hao công suất, tăng hiệu suất chuyển đổi năng lượng.
Độ tin cậy cao: Phù hợp cho các ứng dụng yêu cầu hoạt động ổn định trong môi trường công nghiệp khắc nghiệt.

Ứng dụng

Biến tần: Sử dụng trong các hệ thống điều khiển động cơ công nghiệp.
Bộ nguồn UPS: Đảm bảo cung cấp điện liên tục và ổn định.
Hệ thống năng lượng tái tạo: Ứng dụng trong các hệ thống điện mặt trời và điện gió.

Lưu ý khi sử dụng

Tản nhiệt: Cần thiết kế hệ thống tản nhiệt hiệu quả để duy trì nhiệt độ hoạt động trong giới hạn cho phép.
Kiểm tra thông số: Đảm bảo các thông số điện áp và dòng điện trong mạch không vượt quá giới hạn của module.