H40R1353 IHW40N135R3 Sò bếp từ 40A 1350V bóc máy Zin

Giới thiệu về IHW40N135R3

IHW40N135R3 là một IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) chuyên dụng, thường được gọi là “sò bếp từ” trong các ứng dụng điện tử công suất cao như bếp từ. Đây là một thiết bị bán dẫn quan trọng trong các hệ thống gia nhiệt cảm ứng, với khả năng xử lý dòng điện lớn và chịu được điện áp cao.

Cấu trúc IHW40N135R3

• IHW40N135R3 là một IGBT loại N-channel, được thiết kế để cung cấp khả năng chuyển mạch nhanh và tổn thất năng lượng thấp, điều này rất quan trọng đối với các ứng dụng như bếp từ.
• Thiết bị này kết hợp các ưu điểm của cả MOSFET (hiệu suất cao ở tần số cao) và BJT (khả năng chịu dòng điện lớn), giúp tối ưu hóa hiệu suất trong quá trình hoạt động.

Đặc điểm IHW40N135R3

• Chuyển mạch nhanh và hiệu suất cao: IHW40N135R3 có tốc độ chuyển mạch nhanh, giảm thiểu thời gian trễ và tổn thất năng lượng, giúp thiết bị hoạt động hiệu quả hơn.
• Khả năng chịu đựng cao: Với khả năng chịu dòng điện lên tới 40A và điện áp tối đa 1350V, thiết bị này có thể xử lý các yêu cầu khắt khe của các hệ thống công suất cao mà vẫn duy trì độ ổn định.
• Thiết kế tối ưu cho bếp từ: Được thiết kế để hoạt động hiệu quả trong môi trường tần số cao, đặc biệt thích hợp cho các ứng dụng bếp từ, nơi yêu cầu khả năng điều khiển nhiệt chính xác và hiệu suất cao.

Thông số kĩ thuật IHW40N135R3

• Dòng điện định mức (Ic): 40A
• Điện áp định mức (Vces): 1350V
• Điện áp kích cổng (Vge): ±20V
• Tần số hoạt động: Thích hợp cho các ứng dụng ở tần số cao, điều này quan trọng đối với bếp từ và các thiết bị gia nhiệt cảm ứng.

Sơ đồ chân IHW40N135R3

Kích thước IHW40N135R3

Xem thêm :Nhiều sản phẩm IGBT khác tại đây

Datasheet IHW40N135R3