Giới thiệu về P0903BD
P0903BD là một MOSFET kênh-N với các đặc tính kỹ thuật nổi bật, thường được sử dụng trong các ứng dụng đòi hỏi khả năng chịu dòng cao và điện áp thấp. Linh kiện này nổi bật nhờ khả năng dẫn dòng lớn và điện trở thấp, làm cho nó trở thành một lựa chọn phổ biến trong các mạch công suất cao, nơi hiệu suất và khả năng chịu nhiệt là rất quan trọng. P0903BD thường được cung cấp trong các gói như TO-252 (DPAK), giúp tối ưu hóa khả năng tản nhiệt và giảm kích thước tổng thể của mạch.

Đặc trưng kỹ thuật
- Điện dung ngõ vào: 1600pF
Đây là điện dung giữa Gate và các cực khác của MOSFET, ảnh hưởng đến tốc độ chuyển mạch của linh kiện. - Điện dung ngõ ra : 470pF
Điện dung này ảnh hưởng đến hiệu suất của MOSFET trong các ứng dụng chuyển mạch, đặc biệt là ở tần số cao. - Điện dung hồi tiếp: 170pF
Điện dung này gây ra hiện tượng hồi tiếp trong mạch, có thể ảnh hưởng đến hiệu suất nếu không được thiết kế đúng cách. - Thời gian bật:
- Thời gian trễ bật: 16ns
- Thời gian tăng dòng: 50ns
Tổng thời gian bật của MOSFET từ khi có tín hiệu đến khi MOSFET hoàn toàn bật, ảnh hưởng đến khả năng đáp ứng của mạch.
- Thời gian tắt:
- Thời gian trễ tắt: 70ns
- Thời gian giảm dòng: 55ns
Tương tự như thời gian bật, nhưng là cho quá trình tắt.
Thông số kỹ thuật
- Loại MOSFET: Kênh N
- Điện áp tối đa giữa Drain-Source : 30V
- Dòng tối đa qua Drain: 57A
- Điện trở giữa Drain-Source: 0.0093Ω @ V<sub>GS</sub> = 10V
- Điện áp ngưỡng Gate-Source: Từ 1V đến 3V
- Công suất tiêu tán tối đa: 50W

Sơ đồ cấu tạo

Kích thước P0903BD

Xem thêm: Các mã Mosfet khác


















