GT60N321 IGBT TO-3P 60A/1000V

Giới thiệu chung về GT60N321 

GT60N321 là một mô-đun IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) được thiết kế để xử lý dòng điện lên đến 60A và điện áp cực đại 1000V. Mô-đun này có dạng gói TO-3P, giúp tối ưu hóa việc tản nhiệt và dễ dàng lắp đặt trong các ứng dụng công suất cao.

 

Đặc điểm của GT60N321

• Dòng điện định mức 60A: Thích hợp cho các ứng dụng yêu cầu khả năng xử lý dòng điện lớn, đảm bảo hiệu suất cao trong quá trình hoạt động.
• Điện áp chịu đựng 1000V: Khả năng hoạt động an toàn ở điện áp tối đa 1000V, phù hợp với nhiều ứng dụng công nghiệp.
• Thiết kế TO-3P: Gói TO-3P giúp cải thiện khả năng tản nhiệt, giảm nhiệt độ hoạt động và tăng tuổi thọ cho mô-đun.
• Hiệu suất chuyển mạch cao: Có khả năng chuyển mạch nhanh, giúp giảm tổn thất năng lượng và cải thiện hiệu suất tổng thể của hệ thống.
• Khả năng tương thích tốt: Dễ dàng tích hợp vào các hệ thống điều khiển động cơ, biến tần và các ứng dụng công suất khác.

Ứng dụng của GT60N321

GT60N321 được sử dụng trong nhiều lĩnh vực khác nhau, bao gồm:

• Biến tần (Inverters): Dùng trong các hệ thống biến tần công nghiệp để điều khiển động cơ và tối ưu hóa hiệu suất năng lượng.
• Điều khiển động cơ: Áp dụng trong các ứng dụng điều khiển động cơ trong tự động hóa công nghiệp và các thiết bị gia dụng.
• Nguồn cấp điện (Power Supplies): Sử dụng trong các hệ thống cung cấp điện cho thiết bị công suất lớn và ứng dụng công nghiệp.
• Năng lượng tái tạo: Có thể được sử dụng trong các hệ thống năng lượng mặt trời và các ứng dụng khác liên quan đến chuyển đổi năng lượng.

Thông số kỹ thuật của GT60N321

• Loại linh kiện: IGBT
• Dòng điện định mức (Ic): 60A
• Điện áp cực đại (Vce): 1000V
• Điện áp cổng (Vge): ±20V
• Tần số chuyển mạch: Tối đa 20 kHz
• Nhiệt độ hoạt động: -40°C đến +150°C
• Điện trở nhiệt (Rth(j-c)): Thiết kế tối ưu cho khả năng tản nhiệt
• Kích thước đóng gói: Gói TO-3P, dễ dàng lắp đặt và sử dụng

Sơ đồ cấu tạo GT60N321

Kích thước GT60N321

Xem thêm :Nhiều sản phẩm IGBT khác tại đây

Datasheet GT60N321